据日经新闻指出，日本专业拆解公司分析拆解报告表示，中国大陆半导体实力进步，已逼近到仅落后台积电三年，美国的管制措施仅稍微拖慢中国的技术革新，但却刺激了中国半导体产业的自家生产脚步。

日经新闻报道指出，每年拆解约100项电子机器产品的半导体调查公司TechanaLye社长清水洋治表示，中国半导体实力进步，已逼近到仅落后台积电3年的水平。清水洋治以4月开卖华为最新智能手机Pura 70 Pro处理器（AP）麒麟9010和2021年华为高性能智能手机用AP麒麟9000为例，麒麟9010由华为旗下海思半导体设计、采用中国国产工艺量产，性能超越了台积电2021年时以5纳米量产的麒麟9000。

一般来说，电路线幅变细的话，半导体处理性能就会变高、芯片面积变小，清水洋治指出，中国工艺量产的芯片面积为118.4平方毫米，和台积电5纳米芯片面积（107.8平方公毫米）差距不大，不过处理性能却几乎相同。 清水洋治表示，双方良率虽有落差，但光从出货芯片性能看，中国半导体逻辑制程的制造实力已经逼近到仅落后台积电三年的地步，而示海思半导体设计能力更是提升了不少。

除了存储器、传感器，Pura 70 Pro合计搭载37个主要半导体产品，海思半导体负责14个、其他中国厂商负责18个，非中国制产品仅DRAM（SK海力士）、运动传感器（Bosch）等五个，也就是说，高达86%半导体为中国制。

中国能生产如此广泛的半导体产品，清水洋治认为，这代表美国管制对象实质仅限AI等用途的服务器先进半导体。只要不构成军事威胁，（美国）就会容许。」 清水洋治总结：「美国政府的管制措施，只是稍微拖慢中国技术，却刺激中国半导体产业生产脚步。」